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はじめに、ＦＥＴはエフイーティーと呼びます。電機分野に詳しくない文系の方で「ふぇっと」と呼ぶ人がいますが、少なくとも日本では間違いです。ＦＥＴは日本で古くから研究され、日本がグローバルスタンダードです。昭和の頃より研究に深く携わっている大学教授や東芝などのメーカーでもＦＥＴは「エフイーティー」と呼びます。ちなみにMOSFETは、「モスエフイーティー」です。「エムオーエスエフイーティー」ではありません。これを間違えると恥ずかしいので、気を付けましょう。ＮＥＣをネックと呼ぶＺ世代並みに恥ずかしいのです。時々「英語では〜」と反論する人がいますが、ここは日本国であり我々は日本人です。和製英語を一切使わないのであればそれも生き方ですが、帝国軍人でもない限り和製英語を使わない人なんていないはずです。
ＦＥＴの正式名称は、電界効果トランジスタであり、「トランジスタ」と付きます。しかし電流増幅の普通のトランジスタと区別するため、トランジスタとは呼ばずＦＥＴと呼びます。ＦＥＴを説明するのに「電界効果トランジスタ」と仕様書や稟議書、技術資料等に正式名称を書くのは間違いで紛らわしいので気を付けましょう。
ＦＥＴの正式名称は電界効果トランジスタですと正論を振りかざしても、誰も聞く耳を持たないでしょう。ＦＥＴはＦＥＴ、トランジスタはトランジスタであり、まったくの別物です。
ちなみにIGBTやGaN FETなどの研究開発も日本が最先端です。日本のFETの研究開発がいかに優れているのかの報道記事を目にすることはほとんどありませんが、それは日本が最先端あることを快く思わない人たちが多いからでしょう。
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